安徽格恩半導(dǎo)體有限公司于2021年8月落戶六安市金安經(jīng)濟開發(fā)區(qū)，總投資額20億元，2022年6月建成投產(chǎn)。2023年在國內(nèi)率先實現(xiàn)了氮化鎵激光芯片規(guī)模量產(chǎn)，打破了該類芯片被國外企業(yè)長期壟斷的局面，填補了國內(nèi)產(chǎn)業(yè)空白。 格恩半導(dǎo)體聚焦于化合物半導(dǎo)體細分領(lǐng)域，專注于高性能、高功率、高可靠性半導(dǎo)體光電芯片核心技術(shù)開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，現(xiàn)已申請專利400余項，其中發(fā)明專利占比90%以上。公司產(chǎn)品在激光加工、激光醫(yī)療、激光顯示、車載照明、通訊傳感等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。