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任職要求：
1、對(duì)半導(dǎo)體功率器件基本原理有扎實(shí)的功底，對(duì)功率MOS芯片設(shè)計(jì)技術(shù)、光刻版設(shè)計(jì)技術(shù)有優(yōu)良的掌握；
2、熟練應(yīng)用功率芯片設(shè)計(jì)軟件（如sentaurus、silvaco、MEDICI）、光刻版設(shè)計(jì)軟件（如L-edit）；
3、具有600V以上功率MOS超結(jié)結(jié)構(gòu)芯片設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，或具有100V以上功率MOS SGT結(jié)構(gòu)芯片設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，具有成功流片形成芯片產(chǎn)品的經(jīng)驗(yàn)。
4、具有指導(dǎo)團(tuán)隊(duì)研發(fā)超結(jié)、SGT等新型功率MOS芯片產(chǎn)品的經(jīng)驗(yàn)和能力。
6、責(zé)任心強(qiáng)，工作認(rèn)真、仔細(xì)；
7、具備創(chuàng)新思維和創(chuàng)造力，能夠提出新穎的想法和解決方案；
8、有良好的團(tuán)隊(duì)合作能力、表達(dá)能力、溝通協(xié)調(diào)能力和學(xué)習(xí)總結(jié)能力；
9、熱愛技術(shù)、注重工作效率、有自我驅(qū)動(dòng)力；
10、有適應(yīng)能力，能夠快速適應(yīng)新環(huán)境、新任務(wù)、新要求。
崗位職責(zé)
1.根據(jù)芯片設(shè)計(jì)要求，負(fù)責(zé)芯片工藝流程、結(jié)構(gòu)、版圖設(shè)計(jì)；
2.負(fù)責(zé)光刻版制作、外協(xié)流片的技術(shù)溝通；
3.負(fù)責(zé)芯片的失效分析和改進(jìn)。
4、負(fù)責(zé)帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)快速形成超結(jié)、SGT等新型MOS芯片研發(fā)能力，并形成系列芯片產(chǎn)品。
經(jīng)錄用待遇從優(yōu)，五險(xiǎn)一金，可享受員工培訓(xùn)、節(jié)日福利、餐飲補(bǔ)貼、租房補(bǔ)貼、取暖補(bǔ)貼、高溫津貼、交通補(bǔ)貼等。