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崗位職責(zé)：

1、工藝平臺(tái)引進(jìn)與開(kāi)發(fā)：負(fù)責(zé)功率半導(dǎo)體器件工藝平臺(tái)的引進(jìn)和開(kāi)發(fā)工作，這可能包括新項(xiàng)目的設(shè)備選型、技術(shù)協(xié)議對(duì)接以及安裝調(diào)試等。

2、項(xiàng)目管理：規(guī)劃項(xiàng)目實(shí)施方案，跨部門合作，控制項(xiàng)目制度、成本、質(zhì)量風(fēng)險(xiǎn)，最終實(shí)現(xiàn)項(xiàng)目順利達(dá)標(biāo)。

3、生產(chǎn)安全與信息安全：執(zhí)行科內(nèi)相關(guān)生產(chǎn)安全和信息安全工作，確保生產(chǎn)過(guò)程符合安全標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)保護(hù)信息安全。

4、工藝優(yōu)化與改進(jìn)：對(duì)生產(chǎn)工藝進(jìn)行優(yōu)化和改進(jìn)，以提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量，降低成本。

5、客戶服務(wù)：提供現(xiàn)場(chǎng)技術(shù)支持，參與技術(shù)方案制定、設(shè)計(jì)文檔編制和修改，以及對(duì)客戶的技術(shù)咨詢及售后服務(wù)支持。

6、研發(fā)與設(shè)計(jì)：參與項(xiàng)目需求分析及設(shè)計(jì)文檔編寫，參與產(chǎn)品設(shè)計(jì)和方案評(píng)審，協(xié)助完成產(chǎn)品試制驗(yàn)證工作。

7、性能驗(yàn)證與良率提升：協(xié)同測(cè)試工程師完成芯片的性能驗(yàn)證和良率確認(rèn)，對(duì)生產(chǎn)良率數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，找出影響芯片良率的關(guān)鍵因素，采取相應(yīng)措施保證良率穩(wěn)定并逐步提升。

8、失效分析：對(duì)于芯片生產(chǎn)端或者應(yīng)用端出現(xiàn)的失效問(wèn)題進(jìn)行分析，負(fù)責(zé)失效分析方案的制訂和失效分析報(bào)告的編寫。

任職要求：

1、本科及以上學(xué)歷，微電子、電力電子、電氣工程等相關(guān)專業(yè)。

2、工作經(jīng)驗(yàn)：具有3年以上IGBT芯片仿真設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，熟悉IGBT、MOSFET、diode等功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)和工作原理。有IGBT相關(guān)經(jīng)驗(yàn)3年以上，特別是在IGBT背面研磨、IGBT背面金屬、IGBT背面濕法清洗蝕刻、IGBT背面離子植入等工藝相關(guān)經(jīng)驗(yàn)之一。從事MW級(jí)變流器和儲(chǔ)能電源的產(chǎn)品電氣系統(tǒng)功能設(shè)計(jì)和測(cè)試類工作經(jīng)驗(yàn)。有驅(qū)動(dòng)板設(shè)計(jì)及產(chǎn)品開(kāi)發(fā)工作經(jīng)驗(yàn)，負(fù)責(zé)驅(qū)動(dòng)板自測(cè)，解決自測(cè)問(wèn)題、EMC實(shí)驗(yàn)問(wèn)題處理和市場(chǎng)反饋的硬件相關(guān)問(wèn)題。

3、專業(yè)知識(shí)與技能：熟悉集成電路相關(guān)制造知識(shí)、相關(guān)半導(dǎo)體材料和化學(xué)專業(yè)知識(shí)。熟練掌握SPC、FMEA質(zhì)量工具，以及較高PPT制作技能。具備IGBT背面研磨，IGBT背面金屬，IGBT背面濕法清洗蝕刻，IGBT背面離子植入等工藝相關(guān)經(jīng)驗(yàn)之一。熟悉功率半導(dǎo)體器件（如晶閘管、IGBT、IGCT、MOSFET等）工作原理。熟悉Sentaurus、Silvaco等半導(dǎo)體設(shè)計(jì)仿真軟件。