崗位職責(zé):
1、負(fù)責(zé)氮化鎵HEMT芯片設(shè)計(jì)及制程優(yōu)化。
2、負(fù)責(zé)氮化鎵HEMT芯片制程的進(jìn)度跟蹤。
3、負(fù)責(zé)氮化鎵HEMT相關(guān)項(xiàng)目的申報(bào)。
4、負(fù)責(zé)相關(guān)核心技術(shù)的挖掘與專利布局。
5、完成主管安排的其它工作任務(wù)。
任職要求:
1、碩士及以上學(xué)歷優(yōu)先,本科學(xué)歷優(yōu)秀者可考慮。
2、有HEMT芯片研發(fā)、工藝及PIE經(jīng)驗(yàn)者或HEMT大廠工作經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。
3、熟悉氮化鎵HEMT芯片的結(jié)構(gòu)、工藝流程, 熟悉產(chǎn)品性能參數(shù)。
4、至少熟悉光刻、蒸鍍、清洗、刻蝕等關(guān)鍵工序站點(diǎn)中的1至2個(gè)工序站點(diǎn)。
5、具備良好的執(zhí)行力和抗壓能力。
6、英文文獻(xiàn)可無障礙閱讀。