崗位職責(zé):
1、負(fù)責(zé)或參與碳化硅、氮化鎵、超寬禁帶芯片器件的設(shè)計(jì)研發(fā);
2、與代工廠確認(rèn)流片工藝及后期流片優(yōu)化;
3、確定芯片封裝工藝和測試指標(biāo),配合封裝廠、測試部完成器件驗(yàn)證;
4、負(fù)責(zé)對數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析,完成針對性的芯片及測試分析報告等;
4、與市場、測試、封裝等相關(guān)部門進(jìn)行溝通和協(xié)調(diào),對反饋信息進(jìn)行技術(shù)論證,提出改進(jìn)方案確保及時解決問題。
任職要求:
1、掌握IGBT、FRD、MOS等功率器件原理和設(shè)計(jì)方法,掌握半導(dǎo)體器件的制造過程和方法;
2、熟悉有限元分析,熟悉電氣spice軟件使用;
3、熟悉封裝基板設(shè)計(jì)和封裝工藝;
3、半導(dǎo)體微電子相關(guān)專業(yè),本科或碩士以上學(xué)歷,2年以上功率器件產(chǎn)品設(shè)計(jì)開發(fā)經(jīng)驗(yàn)。
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