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北京碳基集成電路研究院為北京市和北京大學(xué)共建的面向后摩爾時(shí)代集成電路技術(shù)的新型研發(fā)機(jī)構(gòu)。研究院以中國(guó)科學(xué)院院士、北京大學(xué)教授彭練矛團(tuán)隊(duì)為核心，以打造碳基集成電路原始創(chuàng)新、工程開發(fā)、成果轉(zhuǎn)化、產(chǎn)業(yè)生態(tài)創(chuàng)新鏈為核心，發(fā)揮核心芯片技術(shù)引領(lǐng)優(yōu)勢(shì)、北京市政策資源優(yōu)勢(shì)、北京大學(xué)學(xué)科人才優(yōu)勢(shì)，通過長(zhǎng)期穩(wěn)定的支持，形成國(guó)際領(lǐng)先的碳基集成電路研發(fā)、生產(chǎn)能力，在碳基集成電路領(lǐng)域產(chǎn)出多項(xiàng)重大原始創(chuàng)新成果。研究院發(fā)展了完整的碳基集成電路技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了性能接近量子極限的碳基晶體管、三維光電集成系統(tǒng)，有望將集成電路技術(shù)推進(jìn)到3納米節(jié)點(diǎn)以下，實(shí)現(xiàn)速度更快、功耗更低、集成度更高的新型碳基集成電路芯片，推動(dòng)未來信息技術(shù)的發(fā)展。研究院坐落于北京市海淀區(qū)益園文化創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)園區(qū)，建成了國(guó)際上首條4英寸碳納米管芯片研發(fā)工藝線，具備完整微加工設(shè)備，主要設(shè)備包括光刻設(shè)備、電子束蒸發(fā)鍍膜儀、磁控濺射鍍膜儀、ICP刻蝕設(shè)備、原子層沉積設(shè)備、ICP-CVD沉積設(shè)備、熱退火設(shè)備，以及測(cè)試探針臺(tái)和電學(xué)測(cè)量?jī)x器等。研究院重視人才發(fā)掘和培養(yǎng)，已形成了一支碳基芯片領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人才隊(duì)伍，具備從碳納米管材料制備、電路設(shè)計(jì)、電路流片到封裝測(cè)試的完整碳基集成電路研發(fā)技術(shù)能力，先后承擔(dān)了國(guó)家和北京市的多個(gè)碳基集成電路方向的重大科技項(xiàng)目。研究院也積極與京東方、華為、燕東微電子等開展合作和交流，促進(jìn)了國(guó)內(nèi)產(chǎn)學(xué)研用技術(shù)交流和融合，進(jìn)一步推動(dòng)碳基集成電路技術(shù)實(shí)用化進(jìn)程。