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崗位職責(zé)：
1.負(fù)責(zé)根據(jù)公司產(chǎn)品開發(fā)流程完成產(chǎn)品開發(fā)。
2.負(fù)責(zé)IGBT器件結(jié)構(gòu)設(shè)計并優(yōu)化工藝流程。
3.負(fù)責(zé)器件及工藝仿真，版圖設(shè)計，工藝流程制定以及與代工廠對接溝通流片方案制定及相關(guān)事宜；
4.負(fù)責(zé)制定封裝方案以及參數(shù)測試規(guī)范，分析測試數(shù)據(jù)；
5.負(fù)責(zé)制定可靠性考核及產(chǎn)品失效分析方案；
6.負(fù)責(zé)調(diào)整設(shè)計和工藝方案，提高產(chǎn)品性能及良率；
7.負(fù)責(zé)產(chǎn)品定型機(jī)量產(chǎn)階段及量產(chǎn)后，配合相關(guān)部門對接溝通相關(guān)工作事宜；
8.負(fù)責(zé)專利的撰寫以及協(xié)助各部門的技術(shù)支持工作以及日常的文檔報告輸出。

任職要求：
1.半導(dǎo)體物理和半導(dǎo)體器件物理基礎(chǔ)扎實，特別是功率器件的理論知識；
2.熟練掌握功率半導(dǎo)體設(shè)計開發(fā)和工藝流程，熟悉功率半導(dǎo)體器件測試和可靠性考核；
3.有3年以上功率半導(dǎo)體器件設(shè)計經(jīng)驗，有成功的600V~3300V IGBT&FRD產(chǎn)品開發(fā)及量產(chǎn)流片相關(guān)經(jīng)驗；
4.熟練掌握TCAD半導(dǎo)體工藝和器件仿真軟件(如Sentaurus),熟悉版圖設(shè)計工具；
5.具備較強(qiáng)的邏輯思維和歸納總結(jié)能力、較強(qiáng)的創(chuàng)新和決策能力以及良好的溝通和抗壓能力，工作主動性、執(zhí)行力和團(tuán)隊協(xié)作能力強(qiáng)，做事嚴(yán)謹(jǐn)細(xì)致；
6.熟悉IATF16949:2016標(biāo)準(zhǔn)要求和五大核心質(zhì)量工具，包括APQP&CP、FMEA、PPAP、SPC、MSA,優(yōu)先。

二、SGT MOS器件設(shè)計（base 深圳）

崗位職責(zé)：
1、負(fù)責(zé)SGTmos的設(shè)計與開發(fā)：器件結(jié)構(gòu)與工藝設(shè)計，新
老產(chǎn)品性能優(yōu)化與良率提升，器件測試與可靠性考核，與
FAE共同完成器件整機(jī)應(yīng)用測試，完成編寫產(chǎn)品規(guī)格書；
2、與晶圓代工廠和封裝代工廠日常對接：設(shè)計制定工藝流
程和測試程序，設(shè)計流片實驗方案與封裝實驗方案，完成
編寫封裝規(guī)格書與芯片規(guī)格書；
3、專利與論文的編寫：包括但不限于器件結(jié)構(gòu)、制造工藝、封裝結(jié)構(gòu)、產(chǎn)品應(yīng)用等，研究與分析國內(nèi)外知名半導(dǎo)體功率器件公司的新技術(shù)、新產(chǎn)品、新封裝與各類應(yīng)用；
4、負(fù)責(zé)協(xié)助完成政府項目申報的報告編寫，配合質(zhì)量人員完成質(zhì)量體系的建立與完善。

任職要求：
1.半導(dǎo)體或微電子相關(guān)專業(yè)，碩士學(xué)歷(從業(yè)6年以上的可以本科學(xué)歷);
2.在功率器件領(lǐng)域設(shè)計崗位工作3年以上，從事SGT器件的研發(fā)設(shè)計至少3年時間；有成功的案例
3了解半導(dǎo)體器件的制造工藝流程。熟練掌握TCAD半導(dǎo)體工藝和器件仿真軟件(如Sentaurus),熟悉版圖設(shè)計工具 。

三、IGBT /MOSFET / FRD研發(fā)工程師（base 深圳）

崗位職責(zé)：
1.配合主管工程師完成IGBT、MOSFET、FRD產(chǎn)品的研發(fā)計劃及具體執(zhí)行方案；
2、具體執(zhí)行IGBT、MOSFET、FRD研發(fā)方案，完成版圖設(shè)計，制定工藝流程等；
3、協(xié)調(diào)產(chǎn)品在線試流投片，跟進(jìn)流速，以及監(jiān)控工藝參數(shù)控制情況；
4、對產(chǎn)品芯合格率、產(chǎn)品設(shè)計、工藝流程等數(shù)據(jù)進(jìn)行收集整理分析；
5、跟進(jìn)封裝、可靠性實驗，應(yīng)用實驗，并對實驗結(jié)果進(jìn)行初步分析；
6、配合市場部跟進(jìn)客戶對試制樣品的反饋信息；
7、擬制所負(fù)責(zé)產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)化文件。
任職條件：
1、微電子學(xué)、物理學(xué)、電子科學(xué)與技術(shù)等相關(guān)專業(yè)本科及以上學(xué)歷；
2、5年以上IGBT、Planer MOSFET、Trench MOSFET、SGT MOSFET、FRD 開發(fā)經(jīng)驗，有成熟案例在市場批量出貨；
3、熟悉 APQP流程；
4、熟悉產(chǎn)品參數(shù)測試、工藝流程，熟練使用相關(guān)值版及仿真軟件；
5、擁有團(tuán)隊管理經(jīng)驗，邏輯思維能力強(qiáng)。

四、SIC功率器件研發(fā)（base 深圳）

職責(zé)描述：
1、負(fù)責(zé)碳化硅功率器件設(shè)計、仿真和制程工藝研發(fā)；
2、碳化硅功率器件測試、封裝應(yīng)用及可靠性研究；
3、器件性能及工藝穩(wěn)定性持續(xù)提升；
4、碳化硅功率器件應(yīng)用開發(fā)及推廣；
5、擅長以上其一即可。

任職要求：
1、2年以上碳化硅功率器件相關(guān)工作經(jīng)驗。
五、SIC功率模塊設(shè)計（base 深圳）
職責(zé)描述：
1、負(fù)責(zé)SiC功率模塊封裝開發(fā)，與產(chǎn)品線、市場對接、完成封裝設(shè)計；
2、負(fù)責(zé)與封裝廠對接，實現(xiàn)產(chǎn)品，完成可靠性設(shè)計，建立SiC功率模塊封裝材料的可靠性模型，制定可靠性驗證方案，收集分析可靠性數(shù)據(jù)；
3、解決SiC功率模塊封裝工藝和材料可靠性失效問題，深入分析失效機(jī)理、失效模式和失效模型；
4、研究SiC功率模塊封裝工藝和可靠性之間的關(guān)系，從可靠性角度建立SiC功率模塊封裝工藝的設(shè)計指導(dǎo)；
5、與SiC功率模塊封裝材料團(tuán)隊，封裝工藝團(tuán)隊共同分析產(chǎn)品薄弱環(huán)節(jié)，提出改進(jìn)方法。

任職要求：
1、5年以上SiC功率模塊設(shè)計開發(fā)和項目管理經(jīng)驗；
2、在車規(guī)SiC模塊封裝、可靠性驗證等方面有豐富經(jīng)驗，能夠獨立設(shè)計結(jié)構(gòu)、電路等，并能了解工程技術(shù)平臺能力，并實現(xiàn)產(chǎn)品；
3、對功率模塊封裝技術(shù)發(fā)展趨勢、封裝特點和實現(xiàn)、應(yīng)用需求適配性有全面的認(rèn)知，了解IGBT/SIC功率模塊工作原理，對IGBT/MOS芯片特性、功率模塊內(nèi)部布局、功率模塊關(guān)鍵組成材料特性、后續(xù)技術(shù)發(fā)展趨勢有深入理解。