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    更新于 12月20日

    研發(fā)工程師(功率器件)

    8千-1.5萬(wàn)·13薪

    職位描述

    微電子電子元器件二極管

    崗位職責(zé):
    1.負(fù)責(zé)部分碳化硅二極管、三極管新產(chǎn)品的設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)、相關(guān)設(shè)計(jì)文件的撰寫(xiě)工作;
    2.負(fù)責(zé)部分器件版圖以及光刻版的檢查工作;
    3.負(fù)責(zé)部分新產(chǎn)品工藝流程卡的編制以及投產(chǎn)工作;
    4.負(fù)責(zé)跟蹤監(jiān)控研發(fā)產(chǎn)品生產(chǎn)流片,并解決生產(chǎn)過(guò)程中的工藝異常;
    5.負(fù)責(zé)研發(fā)樣品的管理和研發(fā)樣片的測(cè)試、分析、評(píng)價(jià);
    6.負(fù)責(zé)部分準(zhǔn)量產(chǎn)產(chǎn)品的投產(chǎn)工作以及異常測(cè)試結(jié)果分析;
    7.負(fù)責(zé)部分外協(xié)項(xiàng)目的流片跟蹤和技術(shù)支持;
    8.負(fù)責(zé)部門(mén)相關(guān)技術(shù)文件的編制工作;
    9.上級(jí)安排的其它工作。

    10.具體工作方向?qū)⒁晜€(gè)人愛(ài)好及能力由公司進(jìn)行安排



    任職要求:
    1.本科和碩士研究生以上;
    2.微電子/電力電子專(zhuān)業(yè)優(yōu)先;
    3.有碳化硅/硅材料功率器件研發(fā)經(jīng)驗(yàn)2年以上;
    4.具備良好的溝通能力、表達(dá)能力、協(xié)作能力;

    5.應(yīng)屆畢業(yè)生面試要求帶成績(jī)單(助理工程師)



    工作時(shí)間:五天八小時(shí)雙休

    公司福利:五險(xiǎn)一金,年底十三薪,不定期員工團(tuán)建活動(dòng),良好的晉升空間和光刻的發(fā)展前景,提供住宿及餐補(bǔ)(工作餐),各項(xiàng)節(jié)假日福利齊全;

    PS:前期需要去北京總部學(xué)習(xí)3-6個(gè)月,報(bào)銷(xiāo)往返路費(fèi)。


    職位福利:五險(xiǎn)一金、年底雙薪、績(jī)效獎(jiǎng)金、加班補(bǔ)助、餐補(bǔ)、帶薪年假、節(jié)日福利、創(chuàng)業(yè)公司

    職位亮點(diǎn):周末雙休,五險(xiǎn)一金,十三薪,住宿及餐補(bǔ)

    獎(jiǎng)金績(jī)效

    績(jī)效獎(jiǎng)金、十三薪、提供住宿及餐補(bǔ)(工作餐),節(jié)假日福利齊全

    工作地點(diǎn)

    高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)永和南路新能源汽車(chē)零部件產(chǎn)業(yè)園18號(hào)

    職位發(fā)布者

    陳芝/人事主管

    立即溝通
    公司Logo瀏陽(yáng)泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
    瀏陽(yáng)泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體技術(shù)有限公司成立于2019年12月5日,注冊(cè)資本41000萬(wàn)元。控股母公司為泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技(北京)有限公司,是國(guó)內(nèi)首家專(zhuān)注于從事寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)功率芯片制造及相應(yīng)電源產(chǎn)品解決方案的領(lǐng)軍企業(yè)。2020年,瀏陽(yáng)泰科天潤(rùn)年產(chǎn)60000片6英寸碳化硅晶圓的功率芯片生產(chǎn)線凈化車(chē)間及配套工程竣工(主要包括黃光車(chē)間、凈化車(chē)間、測(cè)試檢驗(yàn)、產(chǎn)成品出庫(kù)車(chē)間及關(guān)鍵動(dòng)力配套設(shè)施建設(shè)),主要生產(chǎn)設(shè)備的導(dǎo)入、安裝和調(diào)試完成90%。2021年上半年,進(jìn)行設(shè)備調(diào)試和工藝驗(yàn)證,下半年,試生產(chǎn)驗(yàn)證通過(guò)后進(jìn)行正式投產(chǎn)和運(yùn)營(yíng)管理。產(chǎn)線建成投產(chǎn)后,可以提供品類(lèi)豐富的碳化硅功率器件產(chǎn)品百余款以及采用碳化硅功率器件的電源產(chǎn)品。各類(lèi)型碳化硅器件包括SBD/PIN二極管和MOSFET/GTO/JEET晶體管器件,設(shè)計(jì)線寬水平為0.35μm,在傳統(tǒng)硅基功率器件晶圓制造工藝(清洗、氧化、刻蝕、涂膠顯影、背金)的基礎(chǔ)上,適應(yīng)碳化硅材料的特性重新定義新制程工藝,同時(shí)結(jié)合碳化硅專(zhuān)有的高溫處理制程,比如高溫離子注入、高溫氧化、高溫退火、碳膜濺射等,整合碳化硅特有的晶圓制造生產(chǎn)整線工藝。產(chǎn)品在新能源汽車(chē)、充電樁、5G信息化、軌道交通、船舶航空、光伏風(fēng)電、不間斷電源、家電工控等行業(yè)有廣闊的應(yīng)用前景。
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