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一、職務(wù)說明

1、工藝開發(fā)與優(yōu)化

基于光電物理、半導體物理及激光相關(guān)理論知識，參與氮化鎵激光芯片前道工藝流程的開發(fā)，涵蓋外延生長、光刻、刻蝕、離子注入、蒸鍍、薄膜制備、清洗等關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)，確保工藝的穩(wěn)定性和重復性，滿足芯片性能和良率目標。

運用實驗設(shè)計（DOE）等方法持續(xù)優(yōu)化前道工藝參數(shù)，提升芯片的光電性能，包括但不限于降低閾值電流、提高內(nèi)量子效率、改善光束質(zhì)量等，并對工藝改進效果進行系統(tǒng)性評估和數(shù)據(jù)分析。

2、產(chǎn)品導入與項目管理

結(jié)合激光芯片領(lǐng)域知識，參與氮化鎵激光芯片新產(chǎn)品的導入工作，與研發(fā)團隊協(xié)作，將實驗室技術(shù)轉(zhuǎn)化為可量產(chǎn)的工藝，制定詳細的工藝流程和工藝規(guī)范，推動新產(chǎn)品從試生產(chǎn)到批量生產(chǎn)的順利過渡。

參與前道工藝開發(fā)項目的計劃制定、進度跟蹤和風險管理，協(xié)調(diào)跨部門團隊（如設(shè)計、測試、封裝等）的溝通與合作，確保項目按時、高質(zhì)量完成，定期向上級匯報項目進展情況和技術(shù)成果。

3、質(zhì)量控制與故障分析

參與建立并完善前道工藝的質(zhì)量控制體系，制定關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)（包括蒸鍍、薄膜、清洗等）的檢驗標準和測試方法，運用統(tǒng)計過程控制等工具對生產(chǎn)過程進行實時監(jiān)控，及時發(fā)現(xiàn)并解決工藝異常和質(zhì)量問題，確保產(chǎn)品質(zhì)量符合行業(yè)標準和客戶要求。

針對前道工藝中出現(xiàn)的芯片失效和性能不良等問題，進行深入的故障分析，運用各種表征手段（如掃描電鏡、原子力顯微鏡、光致發(fā)光譜、電學測試等）確定失效原因，提出有效的改進措施并跟蹤驗證，不斷提高產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性，同時積累處理和分析產(chǎn)品前道異常的經(jīng)驗，為后續(xù)工藝改進提供依據(jù)。

二、條件要求

1、 教育背景：

理工科背景，本科及以上學歷，包含光電物理、半導體物理、激光等專業(yè)領(lǐng)域知識。

2、專業(yè)技能：

熟悉前道激光芯片制作，包括蒸鍍、薄膜、清洗、化學等工藝環(huán)節(jié)；精通半導體前道光刻、刻蝕、離子注入等工藝原理和技術(shù)，熟練使用相關(guān)工藝設(shè)備和軟件工具，能夠根據(jù)芯片設(shè)計要求制定精確的工藝方案，并對工藝結(jié)果進行準確評估和優(yōu)化，具備良好的工藝窗口控制能力和工藝問題解決能力，熟悉半導體工藝的質(zhì)量控制體系和可靠性測試方法，掌握 SPC、FMEA（失效模式與影響分析）等質(zhì)量工具的應(yīng)用，能夠運用各種分析手段（如電學測試、光學顯微鏡、SEM 等）對芯片失效和缺陷進行分析和定位，提出有效的改進措施。

3、工作經(jīng)驗

具有3年以上激光芯片或半導體器件前道開發(fā)工作經(jīng)驗，有半導體、激光器等行業(yè)經(jīng)驗者優(yōu)先考慮。在工作中能夠不斷積累處理前道異常和改進工藝的經(jīng)驗，具備未來可以設(shè)計和改進前道相關(guān)工藝、提升產(chǎn)品性能的潛力和能力。

4、綜合素質(zhì)

具備較強的學習能力和創(chuàng)新意識，能夠緊跟半導體行業(yè)技術(shù)發(fā)展趨勢，不斷探索和應(yīng)用新技術(shù)、新工藝，提升產(chǎn)品競爭力。

具有良好的團隊合作精神和溝通能力，能夠與不同專業(yè)背景的人員進行有效的溝通和協(xié)作，共同解決技術(shù)難題和推動項目進展。

工作嚴謹認真，具備較強的責任心和抗壓能力，能夠適應(yīng)半導體行業(yè)快節(jié)奏的工作環(huán)境和高強度的工作壓力，確保項目任務(wù)按時、高質(zhì)量完成。