職位描述
存儲芯片NON-VOLATILEHSIMMEMORY設計
職責描述：
1、負責non-volatile memory IP（如Flash、EEPROM、MTP和OTP等）設計, 含SPEC定義、電路設計、設計報告撰寫、仿真驗證等；
2、指導版圖工程師進行電路布局；
3、協(xié)助測試工程師完成芯片的測試和測試報告的撰寫。
任職要求：
1、紹招本科, 5年以上混合電路設計經驗；
2、有memory設計經驗, 如SRAM、DRAM、ROM、Flash、EEPROM、MTP和OTP等；
3、熟悉Hspice、Hsim、Cadence.
1、負責non-volatile memory IP（如Flash、EEPROM、MTP和OTP等）設計, 含SPEC定義、電路設計、設計報告撰寫、仿真驗證等；
2、指導版圖工程師進行電路布局；
3、協(xié)助測試工程師完成芯片的測試和測試報告的撰寫。
任職要求：
1、紹招本科, 5年以上混合電路設計經驗；
2、有memory設計經驗, 如SRAM、DRAM、ROM、Flash、EEPROM、MTP和OTP等；
3、熟悉Hspice、Hsim、Cadence.
工作地點
南山區(qū)科技園
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