職位描述
功率芯片SIC，IGBT芯片設(shè)計(jì)芯片工藝
崗位職責(zé)：
1、執(zhí)行新產(chǎn)品開發(fā)計(jì)劃方案，總結(jié)產(chǎn)品研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，持續(xù)改進(jìn)產(chǎn)品性能，根據(jù)用戶或公司其他部門的要求進(jìn)行設(shè)計(jì)修改和設(shè)計(jì)改進(jìn)。
2、芯片、分立器件的材料設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工藝設(shè)計(jì)、版圖設(shè)計(jì)；
3、芯片、分立器件的工藝實(shí)施和質(zhì)量控制；
4、新產(chǎn)品立項(xiàng)、開發(fā)和生產(chǎn)技術(shù)管理；
5、器件特性研究及Datasheet制作；
6、失效分析及售后服務(wù)技術(shù)支持。
2、芯片、分立器件的材料設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工藝設(shè)計(jì)、版圖設(shè)計(jì)；
3、芯片、分立器件的工藝實(shí)施和質(zhì)量控制；
4、新產(chǎn)品立項(xiàng)、開發(fā)和生產(chǎn)技術(shù)管理；
5、器件特性研究及Datasheet制作；
6、失效分析及售后服務(wù)技術(shù)支持。
任職要求：
1、研究生及以上學(xué)歷，從事SIC微電子或相關(guān)IGBT、VDMOS等行業(yè)研發(fā)工作5年以上；
2、有良好的溝通、協(xié)調(diào)、組織和團(tuán)隊(duì)建設(shè)能力；
3、有很強(qiáng)的判斷、決策、計(jì)劃與執(zhí)行能力；
4、高度的工作熱情、嚴(yán)謹(jǐn)?shù)墓ぷ鲬B(tài)度與超強(qiáng)的責(zé)任感，良好的職業(yè)道德；
5、德才兼?zhèn)洌髮?shí)認(rèn)真，開拓創(chuàng)新；有良好的個(gè)人品質(zhì)。
2、有良好的溝通、協(xié)調(diào)、組織和團(tuán)隊(duì)建設(shè)能力；
3、有很強(qiáng)的判斷、決策、計(jì)劃與執(zhí)行能力；
4、高度的工作熱情、嚴(yán)謹(jǐn)?shù)墓ぷ鲬B(tài)度與超強(qiáng)的責(zé)任感，良好的職業(yè)道德；
5、德才兼?zhèn)洌髮?shí)認(rèn)真，開拓創(chuàng)新；有良好的個(gè)人品質(zhì)。
工作地點(diǎn)
南京55研究新所
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職位發(fā)布者
左女士/招聘主管
立即溝通
南京第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司
國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）（以下簡稱“南京中心”）是國家級(jí)創(chuàng)新平臺(tái)。南京中心坐落于南京市江寧區(qū)，充分發(fā)揮南京豐富的基礎(chǔ)研究、應(yīng)用基礎(chǔ)研究和技術(shù)創(chuàng)新資源優(yōu)勢(shì)，主攻電力電子、光電子、射頻電子等應(yīng)用領(lǐng)域。南京中心以關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)為核心使命，產(chǎn)學(xué)研協(xié)同推動(dòng)科技成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化與產(chǎn)業(yè)化，為區(qū)域和產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供源頭技術(shù)供給，為科技型中小企業(yè)孵化、培育和發(fā)展提供創(chuàng)新服務(wù)，為支撐產(chǎn)業(yè)向中高端邁進(jìn)、實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量發(fā)展發(fā)揮戰(zhàn)略引領(lǐng)作用。南京中心現(xiàn)擁有國內(nèi)頂尖的第三代半導(dǎo)體器件研發(fā)技術(shù)團(tuán)隊(duì)，核心技術(shù)全國領(lǐng)先，國際先進(jìn)。該團(tuán)隊(duì)由中國電科首席專家柏松領(lǐng)銜，擁有博士以上學(xué)歷13人，高級(jí)以上職稱12人。IntroductionNational Center of Technology Innovation for Wide BandGap Semiconductors(Nanjing) is a state-level technology innovation center， located in Jiangning District, Nanjing，Nanjing Center was set up to develope power electronics, optoelectronics, RF electronics and other electronic device technologies，giving its full play to the local advantages in fundamental researches, applied researches and technological innovation ability. Nanjing Center will cooperate together with industries, universities and research institutes to promote the technological progress and the achievement transformation of science and technology. Nanjing Center will continuously commit itself to providing technical sources for regional and industrial development, offering services for cultivating and developing small-and medium-sized enterprises, leading industries to middle and high-end and achieve high-quality development.Nanjing Center has established an R&D team which is among the best in China for wide bandgap semiconductor devices. The research team led by Bai Song, chief expert of CETC, consists of over ten doctors, and a number of senior engineers.
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