職位要求:
1、功率半導(dǎo)體相關(guān)工作經(jīng)驗(yàn)三年(含)以上,熟悉IGBT、FRD、 MOSFET等功率半導(dǎo)體的產(chǎn)品開發(fā)流程;
2、具有Wafer Fab實(shí)際經(jīng)驗(yàn)和IGBT、 FRD 、MOSFET等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的實(shí)際開發(fā)/生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn);
3、熟悉版圖設(shè)計(jì)(Layout Design)和器件仿真(TCAD Simulation);
4、具有項(xiàng)目實(shí)施能力、主動(dòng)溝通能力及團(tuán)隊(duì)協(xié)作能力。
崗位職責(zé):
1、進(jìn)行IGBT、 FRD 、MOSFET等功率半導(dǎo)體的器件及工藝仿真,版圖設(shè)計(jì)和工藝流程制定;
2、器件封裝,測(cè)試,特性及失效分析;
3、工藝和設(shè)計(jì)方案優(yōu)化,提高產(chǎn)品性能及良率;
4、從產(chǎn)品定義到開發(fā)計(jì)劃的實(shí)施以至定型量產(chǎn)的項(xiàng)目現(xiàn)場(chǎng)管理。
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