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1. 了解功率半導(dǎo)體器件基本原理及工藝流程；

2. 光刻、刻蝕、測(cè)試與分析設(shè)備的操作（熟悉其中一項(xiàng)或多項(xiàng)均可）；

1）光刻：需熟悉stepper光刻機(jī)、晶圓級(jí)光刻機(jī)等的操作，亞微米級(jí)套刻工藝（精度0.4um)。

2）刻蝕：需熟悉氮化鎵ICP刻蝕等設(shè)備。

3）測(cè)試與分析：熟悉氮化鎵HEMT器件電學(xué)性能的測(cè)試分析，要求熟悉HEMT器件原理和IV特性等，并能夠?qū)κЫY(jié)果進(jìn)行獨(dú)立分析并提出工藝改進(jìn)方法。

3. 對(duì)光刻和刻蝕設(shè)備有深入了解及有相關(guān)工藝優(yōu)化開發(fā)基礎(chǔ)的優(yōu)先；

4. 了解GaN功率器件的基本原理以工藝流程；

5. 物理、化學(xué)、材料、光電、電子等相關(guān)專業(yè)；

6. 工作地點(diǎn)：廈門大學(xué)翔安校區(qū)。

7. 工資待遇面議。